Особенности токопрохождения в гетеропереходных солнечных элементах на основе $\alpha$-Si : H/Si

Рассмотрена специфика формирования темновых ВАХ I(V) гетеропереходных солнечных элементов на основе $\alpha$-Si : H/Si с учетом соотношения между уровнем легирования кремния $N_{d}$ и величиной избыточной концентрации электронно-дырочных пар $\Delta n$. Показано, что при $\Delta n\ge N_{d}$ ВАХ принципиально отличается от ВАХ классического диода Шокли из-за влияния тыльной поверхности (вследствие дополнительного падения приложенного напряжения). Результаты анализа применены для описания экспериментальных ВАХ, наблюдаемых в работах по исследованию гетеропереходных солнечных элементов на основе $\alpha$-Si : H/Si. Из сравнения экспериментальных и расчетных зависимостей I(V) получены численные значения факторов идеальности их темновых ВАХ.