Релаксация напряжений в InGaAsP/InP-гетероструктурах для преобразователей лазерного излучения с длиной волны 1064 nm

Исследованы особенности релаксации механических напряжений в InGaAsP/InP-гетероструктурах, являющихся основой для преобразователей лазерного излучения с длиной волны 1064 nm. Показано, что релаксация механических напряжений путем образования упорядоченного рельефа на поверхности слоев твердого раствора InGaAsP/InP-гетероструктур с составом твердого раствора по индию до 80% позволяет уменьшить вероятность спинодального распада твердого раствора, повысить на порядок интенсивность фотолюминесценции твердого раствора и увеличить эффективность преобразования лазерного излучения.