Дислокационная фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами фтора

Установлено, что имплантация ионов фтора с энергией 85 keV и дозой 8.3 $\cdot$ 10$^{14}$ cm$^{-2}$ в монокристаллический Si не приводит к формированию аморфного слоя. Последующий отжиг при температуре 1100$^\circ$C в хлорсодержащей атмосфере сопровождается появлением D1- и D2-линий дислокационной люминесценции. Интенсивность обеих линий уменьшается с увеличением времени отжига от 0.25 до 3 h. С увеличением температуры измерения от 80 до 200 K интенсивности этих линий уменьшаются, а положения их максимумов сдвигаются в длинноволновую сторону.