RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2017, том 43, выпуск 24, страницы 17–23 (Mi pjtf6039)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Обострение оптических импульсов в вертикально-излучающих лазерах с активной областью на основе субмонослойных квантовых точек InGaAs

В. В. Дюделевab, Н. А. Малеевa, А. Г. Кузьменковac, С. А. Блохинa, В. Ю. Мыльниковad, В. И. Кучинскийa, В. М. Устиновc, Э. У. Рафаиловbe, Г. С. Соколовскийab

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
c Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
d Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
e Aston Institute of Photonic Technologies, Aston University, Birmingham, UK

Аннотация: Представлены результаты исследований вертикально-излучающих лазеров на основе субмонослойных квантовых точек InGaAs с оксидной апертурой диаметром $\sim$1 $\mu$m. Продемонстрирована возможность обострения выходных оптических импульсов до 50–100 ps при накачке электрическими импульсами длительностью 10–100 ns с частотой повторения 10–100 kHz.

Поступила в редакцию: 31.07.2017

DOI: 10.21883/PJTF.2017.24.45336.16992


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2017, 43:12, 1099–1101

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024