Фотодетектор видимого и ближнего инфракрасного диапазона длин волн на основе осажденного из газовой фазы алмаза

Создан фотодетектор видимого и ближнего инфракрасного диапазона длин волн на основе осажденного из газовой фазы модулированно-легированного бором алмаза. Поглощение электромагнитного излучения происходит в тонком биметаллическом слое Cr (толщина 7 nm) и Au (толщина 5.5 nm), находящемся на поверхности осажденной алмазной пленки, состоящей из высоколегированного (до концентрации 5 $\cdot$ 10$^{19}$ cm$^{-3}$) дельта-слоя с толщиной 3 nm, низколегированного ($\sim$10$^{17}$ cm$^{-3}$) слоя с толщиной 800 nm и высоколегированного (10$^{20}$ cm$^{-3}$) слоя с толщиной $\sim$10 $\mu$m, на котором сформирован омический контакт Ti(50 nm)/Pt(15 nm)/ Au(30 nm). Рождающиеся в биметаллическом слое дырки диффундируют в алмаз, ускоряются электрическим полем, создаваемым пространственным зарядом в низколегированном слое, и создают фототок. Измеренная ампер-ваттная чувствительность достигает 1 $\mu$A/W при длине волны излучения 445 nm и 0.18 $\mu$A/W при 1.06 $\mu$m.