Средний ток, пропускаемый катодным пятном вакуумной дуги, и скорость движения пятна в магнитном поле на нанокомпозитном материале CuCr50/50

Показано, что такие характеристики катодного пятна, как средний ток, пропускаемый пятном, и его зависимость от индукции тангенциального магнитного поля $B_{t}$, а также скорость движения пятна и ее зависимость от $B_{t}$, для двух существенно различающихся по структуре образцов CuCr50/50 (нанокомпозиция и “solid-state sintered” композиция) практически совпадают, если перед измерениями в процессе кондиционирования был осуществлен сплошной переплав поверхности контактов с помощью дуговых воздействий умеренными токами.