Эпитаксиальные напряжения в фотопроводящем слое InGaAs для THz-антенн

Методами оптического зондирования при фемтосекундной лазерной накачке (optical pump-probe) и терагерцевой спектроскопии во временно́й области исследовано влияние эпитаксиальных напряжений на динамику неравновесных носителей заряда, а также спектр терагерцевого излучения в пленках In$_{y}$Ga$_{1-y}$As. Продемонстрировано снижение времени жизни неравновесных носителей заряда и увеличение ширины спектра терагерцевого излучения для пленки In$_{y}$Ga$_{1-y}$As с бо́льшим механическим напряжением.