RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2017, том 43, выпуск 20, страницы 3–11 (Mi pjtf6091)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Исследование влияния случайных флуктуаций концентрации легирующей примеси на ток в полупроводниковых сверхрешетках

А. Сельскийab, А. А. Короновскийa, О. И. Москаленкоa, А. Е. Храмовb

a Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского
b Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю. А.

Аннотация: Исследуется, как случайные флуктуации концентрации легирующей примеси влияют на вольт-амперные характеристики тока, протекающего через полупроводниковую сверхрешетку. Показано, что в зависимости от амплитуды флуктуаций параметров наноструктуры характеристики тока, протекающего через сверхрешетку, заметно изменяются. По малой выборке удалось найти закон распределения плотности вероятности значений интеграла модуля разности токов при различных значениях амплитуды флуктуаций концентрации легирующей примеси.

Поступила в редакцию: 01.06.2017

DOI: 10.21883/PJTF.2017.20.45144.16896


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2017, 43:10, 912–915

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024