RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2017, том 43, выпуск 20, страницы 86–94 (Mi pjtf6101)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Нанокристаллические покрытия $\alpha$-Al$_{2}$O$_{3}$, полученные реакционным термическим анодным испарением в дуговом разряде при низкой температуре

Н. В. Гавриловa, А. С. Каменецкихa, П. В. Третниковa, А. В. Чукинb

a Институт электрофизики УрО РАН, г. Екатеринбург
b Уральский федеральный университет им. Б. Н. Ельцина, г. Екатеринбург

Аннотация: Впервые методом анодного термического испарения Al в дуговом разряде в кислородно-аргоновой смеси получены нанокристаллические покрытия Al$_{2}$O$_{3}$ на нержавеющей стали с использованием подслоя из Cr$_{2}$O$_{3}$ при температуре 600$^\circ$C. Проанализировано влияние состояния поверхности образцов и энергии ионов на фазовый состав, микроструктуру и свойства покрытий. Фаза $\alpha$-Al$_{2}$O$_{3}$ формируется в диапазоне значений потенциала смещения 25–200 V, с ростом которого размер микрокристаллитов уменьшается от 60 до 15 nm, а твердость покрытия возрастает от 8 до 20 GPa.

Поступила в редакцию: 05.06.2017

DOI: 10.21883/PJTF.2017.20.45154.16903


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2017, 43:10, 951–954

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024