RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2017, том 43, выпуск 19, страницы 43–50 (Mi pjtf6107)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Сравнение элементов флеш-памяти с использованием материалов на основе графена

И. В. Антоноваabc, И. А. Котинa, О. М. Орловd, С. Ф. Девятоваa

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
c Новосибирский государственный технический университет
d Научно-исследовательский институт молекулярной электроники, Москва

Аннотация: Исследован захват заряда на тестовые структуры флеш-памяти с плавающими затворами из графена (мультиграфена) и его соединений (оксида графена и частично фторированного графена). Сравнение окна памяти для различных структур показало перспективность использования восстановленного оксида графена, мультиграфена и фторографена. Частично фторированный графен впервые был использован в качестве плавающего затвора в структурах флеш-памяти. Материалы на основе графена перспективны для 2D-печатных технологий и гибкой электроники.

Поступила в редакцию: 27.12.2016

DOI: 10.21883/PJTF.2017.19.45080.16623


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2017, 43:10, 889–892

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024