Прецизионная калибровка уровня легирования кремнием эпитаксиальных слоев арсенида галлия

Рассмотрен подход к обеспечению прецизионной калибровки уровня легирования кремнием эпитаксиальных слоев арсенида галлия, основанный на исследовании зависимости концентрации носителей заряда в тестовом слое GaAs от температуры источника кремния методами на основе эффекта Холла и CV-профилирования. Для измерений параметров используются стандартные или аттестованные методики измерений и средства измерений утвержденного типа. Показано, что использование метода CV-профилирования для контроля концентрации носителей заряда в тестовом слое GaAs при тщательной оптимизации измерительной процедуры обеспечивает наивысшую точность и достоверность калибровки уровня легирования эпитаксиальных слоев с относительной погрешностью не более 2.5%.