Влияние водорода на термоэлектрический сигнал напряжения в слоистой структуре Pt/WO$_{x}$/6$H$-SiC/Ni/Pt

Установлена возможность детектирования H$_{2}$ по регистрации сигнала термоэдс, который возникал между поверхностями пластины 6$H$-SiC толщиной 400 $\mu$m. Рабочая поверхность пластины модифицировалась за счет нанесения газочувствительной пленки WO$_{x}$ и каталитической Pt. На тыловой поверхности пластины создавался омический контакт (Ni/Pt), и эта поверхность поддерживалась при стабилизированной температуре 350$^\circ$C. Градиент температуры по толщине пластины возникал за счет охлаждения рабочей поверхности воздушной средой. Подача H$_{2}$ в эту среду до концентрации 2% вызывала 15-кратный рост термосигнала, что заметно превышало отклик системы Pt/WO$_{x}$/SiC/Ni/Pt, регистрируемый традиционным способом измерения вольт-амперной зависимости. При этом для регистрации термоэдс не требовался дополнительный источник питания.