Д. С. Королев, А. А. Никольская, Н. О. Кривулин, А. И. Белов, А. Н. Михайлов, Д. А. Павлов, Д. И. Тетельбаум, Н. А. Соболев, M. Kumar, “Формирование гексагональной фазы кремния 9$R$ при ионной имплантации”, Письма в ЖТФ, 2017, том 43, выпуск 16,страницы 87

Эта публикация цитируется в 9 статьях

Формирование гексагональной фазы кремния 9$R$ при ионной имплантации

Д. С. Королев^a, А. А. Никольская^a, Н. О. Кривулин^a, А. И. Белов^a, А. Н. Михайлов^a, Д. А. Павлов^a, Д. И. Тетельбаум^a, Н. А. Соболев^b, M. Kumar^c

^a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^c Indian Institute of Technology Jodhpur, Jodhpur, India

Аннотация: С помощью метода просвечивающей электронной микроскопии в приграничном слое кремния структуры SiO$_{2}$/Si, подвергнутой ионной имплантации и термической обработке, обнаружено образование включений гексагонального кремния (политип 9$R$). Образование гексагональной фазы обусловлено механическими напряжениями, возникающими в гетерофазной системе в процессе ионной имплантации.

Поступила в редакцию: 03.05.2017

DOI: 10.21883/PJTF.2017.16.44937.16852