Аннотация:
Рассмотрены формирование и динамика расплавленных включений Al–Si в кремнии (в диапазоне температур 1123–1273 K) в поле градиента концентрации дислокаций. Обнаружено, что расплавленное включение перемещается как целое по механизму "плавление-кристаллизация": в области с большей концентрацией дислокаций на фронтальной границе наблюдается растворение, а в области с меньшей, на тыльной стороне, – кристаллизация. Экспериментально зафиксированы скорости и энергии активации процесса миграции. Показано, что лимитирующей стадией миграции включений являются процессы плавления-кристаллизации на межфазных границах расплава с матрицей.