Эффект Горского при синтезе пленок карбида кремния из кремния методом топохимического замещения атомов

Исследуются механизмы испарения кремния (Si) с поверхности карбида кремния (SiC), выращиваемого методом замещения атомов. Предполагается, что одной из причин, вызывающих испарение Si, является возникновение упругих деформаций на этапе охлаждения образца с пленкой SiC. Теоретически показано, что под действием упругих напряжений в слое SiC возникает механохимический эффект Горского, в результате которого происходит перераспределение атомов Si и С в слое SiC, что приводит к нарушению стехиометрии пленок и асимметрии их состава по толщине слоя SiC. Для получения однородных по составу с низкой концентрацией кремниевых вакансий эпитаксиальных пленок SiC предложено их выращивать из газовой смеси монооксида углерода (CO) с трихлормоносиланом (SiHCl$_{3}$).