RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2017, том 43, выпуск 12, страницы 42–51 (Mi pjtf6197)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Двумерный электронный газ в обращенных гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием

А. Б. Пашковский, С. И. Новиков, В. Г. Лапин, В. М. Лукашин

Государственное научно-производственное предприятие "Исток", г. Фрязино, Московская обл.

Аннотация: Предложена модификация обращенной гетероструктуры путем встраивания в структуру легированного акцепторами слоя, формирующего дополнительный потенциальный барьер, уменьшающий поперечный пространственный перенос горячих электронов в подложку. Согласно проведенным расчетам, такая структура имеет разность энергий между уровнями размерного квантования, в несколько раз превышающую энергию оптического фонона в GaAs, и повышенную линейность передаточной характеристики.

Поступила в редакцию: 26.01.2017

DOI: 10.21883/PJTF.2017.12.44707.16718


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2017, 43:6, 562–566

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024