Полевая электронная микроскопия науглероженного рения

Методами полевой электронной микроскопии исследован рост углеродных структур на поверхности рениевого полевого эмиттера. Образование графена происходит на плотноупакованных гранях кристалла рения и приводит к снижению работы выхода. Для образования графеновых островков на рении требуется значительно большее время экспозиции в парах бензола, чем на иридии. Нагрев науглероженного рениевого полевого эмиттера до температур, близких к температуре плавления, с последующим снижением температуры не приводит к изменению работы выхода и полевого электронного изображения. Выявленные особенности объясняются высокой растворимостью углерода в рении.