Аннотация:
Теоретически исследуется диффузионная накачка графена оптическими плазмонами, распространяющимися в металле, отделенном от графена слоем полупроводника. Показано, что накачка графена оптическими плазмонами позволяет реализовать максимальную отрицательную терагерцовую проводимость графена при меньшей (приблизительно на 25%) мощности накачки по сравнению с диффузионной накачкой графена оптическим излучением.