Г. В. Бенеманская, П. А. Дементьев, С. А. Кукушкин, М. Н. Лапушкин, А. В. Осипов, С. Н. Тимошнев, “Фотоэмиссионные исследования вицинальной поверхности SiC(100) 4$^\circ$ и интерфейса Cs/SiC(100) 4$^\circ$”, Письма в ЖТФ, 2016, том 42, выпуск 23,страницы 51

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Фотоэмиссионные исследования вицинальной поверхности SiC(100) 4$^\circ$ и интерфейса Cs/SiC(100) 4$^\circ$

Г. В. Бенеманская^ab, П. А. Дементьев^ab, С. А. Кукушкин^bcd, М. Н. Лапушкин^abc, А. В. Осипов^bc, С. Н. Тимошнев^be

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Институт проблем машиноведения РАН, г. Санкт-Петербург
^c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
^d Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
^e Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Впервые проведены фотоэмиссионные исследования электронной структуры вицинальной поверхности SiC(100) 4$^\circ$, выращенной новым методом замещения атомов подложки, и интерфейса Cs/SiC(100) 4$^\circ$. Исследована модификация спектров валентной зоны и остовных уровней C 1$s$, Si 2$p$ в процессе формирования интерфейса Cs/SiC(100) 4$^\circ$. Обнаружено подавление поверхностного состояния SiC с энергией связи 2.8 eV и образование индуцированного цезием состояния с энергией связи 10.5 eV. Впервые обнаружена и исследована модификация сложной структуры компонентов в спектре остовного уровня C 1$s$. Найдено, что адсорбция Cs на вицинальной поверхности SiC(100) 4$^\circ$ приводит к интеркаляции островков графена на SiC(100) 4$^\circ$ атомами Cs.

Поступила в редакцию: 27.06.2016