Н. И. Бочкарева, А. М. Иванов, А. В. Клочков, В. А. Тарала, Ю. Г. Шретер, “Влияние трансформации точечных дефектов при джоулевом разогреве на эффективность светодиодов с квантовыми ямами InGaN/GaN”, Письма в ЖТФ, 2016, том 42, выпуск 22,страницы 1

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Влияние трансформации точечных дефектов при джоулевом разогреве на эффективность светодиодов с квантовыми ямами InGaN/GaN

Н. И. Бочкарева^a, А. М. Иванов^a, А. В. Клочков^a, В. А. Тарала^b, Ю. Г. Шретер^a

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Северо-Кавказский федеральный университет, Ставрополь

Аннотация: Показано, что кратковременный джоулев разогрев активной области светодиодов с квантовыми ямами InGaN/GaN до 125$^\circ$C при плотности тока 150 A/cm$^{2}$ стимулирует изменение энергетического спектра дефектных состояний в запрещенной зоне GaN и увеличение квантовой эффективности.

Поступила в редакцию: 19.04.2016