Время инкубации гетерогенного роста островков в режиме неполной конденсации

Проведен теоретический анализ времени инкубации, необходимого для начала роста поверхностных островков на гетерогенных центрах нуклеации, в зависимости от газового потока материала и температуры поверхности. Показано, что при гетерогенном росте в режиме неполной конденсации время инкубации увеличивается с температурой по аррениусовскому закону и уменьшается с потоком обратно пропорционально последнему независимо от механизма диффузионного транспорта в островки. Проведено качественное сопоставление результатов с экспериментальными данными по времени инкубации трехмерных островков GaN, возникающих на начальном этапе самоиндуцированного роста нитевидных нанокристаллов GaN.