С. А. Масалов, А. В. Атращенко, В. П. Улин, Е. О. Попов, А. Г. Колосько, С. В. Филиппов, “Исследование электрофизических свойств поверхности пористого GaP(111)”, Письма в ЖТФ, 2016, том 42, выпуск 22,страницы 39

Эта публикация цитируется в 1 статье

Исследование электрофизических свойств поверхности пористого GaP(111)

С. А. Масалов^a, А. В. Атращенко^ab, В. П. Улин^a, Е. О. Попов^a, А. Г. Колосько^a, С. В. Филиппов^a

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики

Аннотация: Проведены измерения локальных электрофизических свойств поверхности пористого GaP с использованием методики туннельной спектроскопии в сверхвысоком вакууме. Обнаружены две области поверхности с различными электрофизическими свойствами. Наблюдался эффект аномальной полевой фотоэмиссии, наиболее вероятной причиной которой является наличие нанокластеров Ga$_{2}$O$_{3}$, GaP и ассоциированных с ними поверхностных состояний акцепторного типа, обладающих высокой плотностью. Для получения интегральных характеристик полевой электронной эмиссии с поверхности образца использовалась компьютеризированная система регистрации с онлайн-обработкой воль-тамперных характеристик.

Поступила в редакцию: 17.06.2016