Радиационно-индуцированный гальванический эффект, наблюдаемый в интерфейсе металл–диэлектрик

Исследуется эффект, наблюдающийся при взаимодействии электромагнитного излучения (энергия квантов 25–1000 eV) с диэлектриком, имеющим металлическое покрытие. Источником излучения служил мегаамперный Z-пинч. Измерения, проведенные с образцами оптического стекла, показали, что под действием излучения (мощность $\sim$10$^{6}$ W/сm$^{2}$) в электрической цепи, включающей металлизированный диэлектрик, возникает ток. Авторы считают, что причиной данного гальванического эффекта является генерация в диэлектрике “горячих” электронов.