Микроволновые усилители мощности на AlGaN/GaN-транзисторах с двумерным электронным газом

Обсуждается методика синтеза микроволновых усилителей мощности на транзисторах с гетеропереходом AlGaN/GaN. Основное внимание уделено разработке методики синтеза трансформирующих цепей усилителя мощности с целью увеличения коэффициента полезного действия при сохранении высокого уровня выходной мощности. Используется независимое согласование на частотах гармоник и на фундаментальной частоте, что позволяет управлять значением достижимого коэффициента полезного действия в широкой полосе частот наряду с полным подавлением гармоник за пределами рабочей полосы. Разработаны и экспериментально исследованы микроволновые усилители мощности на 4 и 9 GHz.