Особенности взаимодействия протонов с транзисторными структурами с двумерным AlGaN/GaN-каналом

Показано, что взаимодействие протонов с энергией 1 MeV и дозами (0.5–2) $\cdot$ 10$^{14}$ cm$^{-2}$ с транзисторными структурами с двумерным AlGaN/GaN-каналом (AlGaN/GaN-HEMT) сопровождается не только генерацией точечных дефектов, но и образованием локальных областей с разупорядоченным наноматериалом. Степень разупорядоченности наноматериала оценивалась количественно методами мультифрактального анализа. Увеличение степени разупорядоченности наноматериала, наиболее ярко проявляющееся при дозе протонов 2 $\cdot$ 10$^{14}$ cm$^{-2}$, приводит к падению подвижности и электронной плотности в двумерном канале HEMT-структур в несколько раз. При этом на транзисторах наблюдается падение величины тока сток-исток и рост тока утечки затвора на порядок. В HEMT-структурах с повышенной разупорядоченностью наноматериала до воздействия протонов, облучение протонами, даже с дозой 1 $\cdot$ 10$^{14}$ cm$^{-2}$, приводит к подавлению двумерной проводимости в канале и выходу из строя транзисторов.