Резонансное туннелирование электронов и связанные с ним зарядовые явления в наноструктурах металл–окисел–$p^{+}$-кремний

Измерены и теоретически проанализированы вольт-амперные характеристики наноструктур Al/термический или электрохимический SiO$_{2}$(2–4 nm)/сильнолегированный $p^{+}$-Si, функционирующих как резонансно-туннельный диод. Характеристики демонстрируют особенности в виде ступеней и пиков тока, обусловленные транспортом электронов между валентной зоной кремния и металлом через дискретные уровни квантовой ямы, создаваемой зоной проводимости $p^{+}$-Si и межфазной границей SiO$_{2}/p^{+}$-Si. Рассмотрены также резонансное туннелирование через уровни поверхностных состояний и появление при определенных условиях заряда вблизи указанной границы.