Терагерцовое излучение при примесном пробое в Si(Li)

Представлены результаты исследования терагерцовой электролюминесценции, вызванной примесным пробоем в кристаллах кремния, легированных литием. В спектре терагерцового излучения видны линии внутрицентровых переходов электронов между возбужденными примесными состояниями и подуровнями основного состояния донора лития. В спектре присутствует также фон, который, по-видимому, обусловлен проявлением эффектов разогрева при электрическом возбуждении.