В. А. Соловьев, М. Ю. Чернов, Б. Я. Мельцер, А. Н. Семенов, Я. В. Терентьев, Д. Д. Фирсов, О. С. Комков, С. В. Иванов, “Метаморфные квантовые ямы InAs/InGaAs/InAlAs с субмонослойными вставками InSb, излучающие в среднем инфракрасном диапазоне”, Письма в ЖТФ, 2016, том 42, выпуск 20,страницы 33

Эта публикация цитируется в 9 статьях

Метаморфные квантовые ямы InAs/InGaAs/InAlAs с субмонослойными вставками InSb, излучающие в среднем инфракрасном диапазоне

В. А. Соловьев^a, М. Ю. Чернов^a, Б. Я. Мельцер^a, А. Н. Семенов^a, Я. В. Терентьев^a, Д. Д. Фирсов^b, О. С. Комков^b, С. В. Иванов^a

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Аннотация: Впервые получены методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs (001) с использованием градиентного буферного слоя InAlAs метаморфные квантовые ямы InAs/InGaAs с субмонослойной вставкой InSb. Данные наногетероструктуры характеризуются интенсивной фотолюминесценцией с длиной волны более 3 $\mu$m (80 K), сдвинутой в длинноволновую область спектра по сравнению с линией излучения от структур без вставки InSb.

Поступила в редакцию: 01.06.2016