Лазерная генерация вертикальных микрорезонаторов с массивами квантовых точек InAs/InGaAs на длине волны 1.3 $\mu$m при оптической накачке

Исследована принципиальная возможность достижения температурной стабильности лазерных излучателей спектрального диапазона 1.3 $\mu$m с вертикальным оптическим микрорезонатором и активной областью на основе квантовых точек (KT) InAs/InGaAs. Показано, что в случае использования нелегированного гибридного вертикального оптического микрорезонатора с нижним нелегированным полупроводниковым и верхним диэлектрическим распределенными брэгговскими отражателями, для активной области на основе девяти слоев КТ при оптимальном спектральном рассогласовании положения максимума усиления основного состояния КТ и резонансной длины волны возможно обеспечить лазерную генерацию вплоть до температур $\sim$100$^\circ$C при практически неизменном уровне пороговой мощности накачки.