Особенности спектров низкоэнергетических ионов неона, рассеянных от поверхности фосфида галлия

Методом масс-сепарированного низкоэнергетического ионного рассеяния впервые проведены детальные исследования спектров ионов Ne$^{+}$, рассеянных на угол 120$^\circ$ от поверхности GaP в диапазоне энергий 0.4–1.96 keV. Было обнаружено, что в спектрах, помимо пиков упругих бинарных соударений Ne$^{+}$/P и Ne$^{+}$/Ga, присутствует пик распыленных ионов неона, а также широкий пик (“горб”), энергия которого слабо зависит от энергии первичных ионов, а интенсивность значительно возрастает с ростом этой энергии. По нашему мнению, основной вклад в этот пик дают ионы неона, испытавшие многократные соударения с атомами галлия и фосфора на поверхности и в более глубоких слоях образца и сохранившие заряд за счет процессов реионизации.