Электронная теплопроводность эпитаксиального графена на карбиде кремния

В рамках простой аналитической модели исследована диагональная компо- нента тензора электронной теплопроводности эпитаксиального графена, сформированного в полупроводнике. Показано, что при значениях химического потенциала вблизи края запрещенной зоны подложки теплопроводность резко изменяется. Получены низкотемпературные выражения для теплопроводности.