Экстремально глубокий послойный анализ атомного состава толстых ($>$ 100 $\mu$m) слоев GaAs в составе мощных PIN-диодов методом вторично-ионной масс-спектрометрии

Показана новая возможность анализа атомного состава толстых ($>$100 mum) эпитаксиальных слоев GaAs методом ВИМС с использованием латерального изображения поперечного сечения структуры. Стандартная геометрия послойного анализа оказывается малоинформативной из-за перенапыления материала со стенок на дно кратера при возрастании глубины кратера до нескольких десятков микрон. Определены профили концентрации легирующей примеси Te и Zn, концентрации Al и основных примесей в слоях PIN-диода на глубину 130 $\mu$m. Элементная чувствительность находится на уровне 10$^{16}$ at./cm$^{3}$, стандартном для послойного анализа на установке TOF.SIMS-5, разрешение равно удвоенному диаметру пучка зондирующих ионов Bi. Обсуждаются возможности повышения разрешения по глубине и элементной чувствительности предложенного метода анализа.