Термовольтаический эффект в варизонном твердом растворе Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ (0 $\le x\le$ 1)

Впервые наблюдался термовольтаический эффект в варизонном непрерывном твердом растворе Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ (0 $\le x\le$ 1). Образцы представляли собой гетероструктуры вида $n$-Si–$p$-Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ (0 $\le x\le$ 1), полученные методом жидкофазной эпитаксии. В диапазоне 40–250$^\circ$C возникала ЭДС 0.05–0.3 mV и ток 0.0025–0.0035 $\mu$A.