Квантовые точки InAs/GaAs, выращенные капельным методом в условиях мос-гидридной эпитаксии

Представлены результаты формирования квантовых точек (КТ) InAs на подложках GaAs (100) капельным методом с использованием в качестве прекурсоров триметилиндия (ТМIn) и арсина (AsH$_{3}$). Процессы роста осуществляли при температурах 230–400$^\circ$C в реакторе установки МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) горизонтального типа с использованием высокочистого водорода в качестве газа-носителя. Приведены данные по влиянию температуры процесса на геометрические размеры и плотность массива КТ и результаты исследования низкотемпературной фотолюминесценции полученных образцов.