К. С. Журавлев, Т. В. Малин, В. Г. Мансуров, В. Е. Земляков, В. И. Егоркин, Я. М. Парнес, “Нормально закрытые транзисторы на основе in situ пассивированных гетероструктур AlN/GaN”, Письма в ЖТФ, 2016, том 42, выпуск 14,страницы 72

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Нормально закрытые транзисторы на основе in situ пассивированных гетероструктур AlN/GaN

К. С. Журавлев^ab, Т. В. Малин^a, В. Г. Мансуров^a, В. Е. Земляков^c, В. И. Егоркин^c, Я. М. Парнес^d

^a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
^b Новосибирский государственный университет
^c Национальный исследовательский университет "МИЭТ"
^d ЗАО "Светлана-Электронприбор", г. Санкт-Петербург

Аннотация: Развита технология молекулярно-лучевой эпитаксии роста in situ пассивированных гетероструктур SiN/AlN/GaN со сверхтонким барьером AlN. Продемонстрированы нормально закрытые транзисторы с максимальной плотностью тока около 1 A/mm, напряжением насыщения 1 V, крутизной до 350 mS/mm, пробивным напряжением более 60 V. Транзисторы показали практическое отсутствие эффектов стокового и затворного коллапса.

Поступила в редакцию: 29.02.2016