В. А. Смирнов, А. Д. Мокрушин, В. П. Васильев, Н. Н. Денисов, К. Н. Денисова, “Полевой эффект при протонной и электронно-дырочной проводимости в транзисторе на основе оксида графена”, Письма в ЖТФ, 2016, том 42, выпуск 13,страницы 18

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Полевой эффект при протонной и электронно-дырочной проводимости в транзисторе на основе оксида графена

В. А. Смирнов^a, А. Д. Мокрушин^b, В. П. Васильев^a, Н. Н. Денисов^a, К. Н. Денисова^c

^a Институт проблем химической физики РАН, г. Черноголовка Московской обл.
^b Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН
^c Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова

Аннотация: В пленках оксида графена можно наблюдать протонную (влажная атмосфера) и электронную (восстановленный оксид графена) проводимости. В транзисторе на основе оксида графена обнаружен и исследован полевой эффект при различных видах проводимости.

Поступила в редакцию: 08.02.2016