В. В. Емцев, Е. Е. Заварин, Г. А. Оганесян, В. Н. Петров, А. В. Сахаров, Н. М. Шмидт, В. Н. Вьюгинов, А. А. Зыбин, Я. М. Парнес, С. И. Видякин, А. Г. Гудков, А. Е. Черняков, “Взаимосвязь надежности AlGaN/GaN транзисторов с характером организации наноматериала”, Письма в ЖТФ, 2016, том 42, выпуск 13,страницы 80

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Взаимосвязь надежности AlGaN/GaN транзисторов с характером организации наноматериала

В. В. Емцев^a, Е. Е. Заварин^a, Г. А. Оганесян^a, В. Н. Петров^a, А. В. Сахаров^a, Н. М. Шмидт^a, В. Н. Вьюгинов^b, А. А. Зыбин^b, Я. М. Парнес^b, С. И. Видякин^c, А. Г. Гудков^c, А. Е. Черняков^d

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b ЗАО "Светлана-Электронприбор", г. Санкт-Петербург
^c Московский государственный технический университет имени Н. Э. Баумана
^d Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Приведены первые экспериментальные результаты, демонстрирующие корреляцию подвижности электронов в двумерном канале AlGaN/GaN транзисторных (AlGaN/GaN-HEMT) структур с характером организации наноматериала, а также с надежностью параметров транзисторов при эксплуатации. Показано, что улучшение характера организации наноматериала структур AlGaN/GaN-HEMT-структур, количественно охарактеризованное мультифрактальным параметром степени разупорядоченности (нарушение локальной симметрии) наноматериала, сопровождается существенным, в несколько раз, увеличением подвижности электронов в двумерном канале и надежности параметров транзисторов, полученных из этих структур.

Поступила в редакцию: 26.02.2016