Н. П. Абаньшин, Ю. А. Аветисян, Г. Г. Акчурин, А. П. Логинов, С. П. Морев, Д. С. Мосияш, А. Н. Якунин, “Планарная наноструктура с полевой эмиссией пленки алмазоподобного углерода для построения низковольтного катода с развитой поверхностью”, Письма в ЖТФ, 2016, том 42, выпуск 10,страницы 25

Эта публикация цитируется в 9 статьях

Планарная наноструктура с полевой эмиссией пленки алмазоподобного углерода для построения низковольтного катода с развитой поверхностью

Н. П. Абаньшин^a, Ю. А. Аветисян^b, Г. Г. Акчурин^bc, А. П. Логинов^a, С. П. Морев^de, Д. С. Мосияш^a, А. Н. Якунин^b

^a OOO "Волга-Свет", Саратов
^b Институт проблем точной механики и управления РАН, г. Саратов
^c Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского
^d НПП "Торий", Москва
^e Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва

Аннотация: Обсуждаются вопросы эффективного решения проблем, связанных с разработкой долговечных низковольтных автоэмиссионных катодов с развитой рабочей поверхностью и высокой плотностью тока полевой эмиссии. Приведены результаты практической реализации концепции многоэлектродных планарных наноструктур на основе полевой эмиссии пленки алмазоподобного углерода. Высокая средняя плотность тока 0.1–0.3 A $\cdot$ cm$^{-2}$ обеспечивается формированием контролируемой зоны локализации поля лезвийной структуры. Достигнутая долговечность образцов катода на уровне 700–3000 h обусловлена положительным влиянием ряда факторов, включая стабилизирующие свойства алмазоподобной углеродной пленки, защиту эмиттера от ионной бомбардировки, использование системы балластных сопротивлений, а также низковольтность за счет субмикронных межэлектродных зазоров.

Поступила в редакцию: 06.01.2016