С. В. Тихов, О. Н. Горшков, М. Н. Коряжкина, И. Н. Антонов, А. П. Касаткин, “Стимулированное светом резистивное переключение в структурах металл–диэлектрик–полупроводник на основе кремния”, Письма в ЖТФ, 2016, том 42, выпуск 10,страницы 78

Эта публикация цитируется в 18 статьях

Стимулированное светом резистивное переключение в структурах металл–диэлектрик–полупроводник на основе кремния

С. В. Тихов^a, О. Н. Горшков^ab, М. Н. Коряжкина^a, И. Н. Антонов^ab, А. П. Касаткин^a

^a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
^b Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород

Аннотация: Стимулированное светом резистивное переключение изучено в МДП-структурах на основе Si, покрытого туннельно-тонким слоем SiO$_{2}$, на который осаждался нанометровый слой Sb. В качестве диэлектрика в этих структурах использован диоксид циркония, стабилизированный оксидом иттрия.

Поступила в редакцию: 03.09.2015