Самосовмещенные магниторезистивные структуры: новый подход к увеличению чувствительности

Предложен новый тип конструкции анизотропных магниторезистивных структур, в котором форма ферромагнитных элементов повторяет форму немагнитных проводящих шунтов. Численное моделирование, учитывающее неоднородное распределение намагниченности, показало, что самосовмещенные структуры демонстрируют значительное ($\sim$70%) увеличение чувствительности по сравнению с классическими barber-pole структурами.