Комплексное использование дифракционных методов при профилировании по глубине параметра кристаллической решетки и состава градиентных слоев InGaAs/GaAs

Предложен метод диагностики толстых (1 $\mu$m и более) градиентных слоев с переменным составом и степенью релаксации по глубине слоя, основанный на анализе карт рассеянной рентгеновской интенсивности в обратном пространстве в сопоставлении с профилированием параметров кристаллической решетки по глубине методом электронной микродифракции. Информативность предложенной диагностики продемонстрирована на примере слоя In$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs с линейным изменением $x$ по глубине. Комплексное представление дифракционных данных в виде профилированной по глубине карты обратного пространства позволяет учесть дополнительную релаксацию, возникающую при утонении образцов для электронно-микроскопических исследований.