А. В. Тумаркин, С. В. Разумов, А. Г. Гагарин, А. А. Одинец, А. К. Михайлов, И. П. Пронин, В. М. Стожаров, С. В. Сенкевич, Н. К. Травин, “Сегнетоэлектрические пленки титаната бария-стронция на подложке полуизолирующего карбида кремния”, Письма в ЖТФ, 2016, том 42, выпуск 8,страницы 70

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Сегнетоэлектрические пленки титаната бария-стронция на подложке полуизолирующего карбида кремния

А. В. Тумаркин^a, С. В. Разумов^a, А. Г. Гагарин^a, А. А. Одинец^a, А. К. Михайлов^ab, И. П. Пронин^c, В. М. Стожаров^d, С. В. Сенкевич^c, Н. К. Травин^e

^a Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
^b Дагестанский государственный университет, г. Махачкала
^c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^d Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, г. Санкт-Петербург
^e ЗАО "Светлана-Электронприбор", г. Санкт-Петербург

Аннотация: Тонкие слои Ba$_{x}$Sr$_{1-x}$TiO$_{3}$ впервые выращены на подложке полуизолирующего карбида кремния методом высокочастотного магнетронного распыления керамической мишени без использования буферных подслоев. Представлены результаты исследований структуры сегнетоэлектрических пленок и электрофизических характеристик планарных конденсаторов на их основе. Полученные образцы характеризуются высокой нелинейностью и низким уровнем диэлектрических потерь на сверхвысоких частотах.

Поступила в редакцию: 24.11.2015