Телеграфный шум в туннельных Si $p$–$n$-переходах с наноостровками GeSi

Экспериментально обнаружена генерация телеграфного шума в туннельных $p^{+}$–$n^{+}$-переходах на базе Si со встроенными в них самоформирующимися наноостровками GeSi. Эффект связывается с блокированием туннелирования электронов через индивидуальные наноостровки GeSi вследствие генерации и термической эмиссии дырок в/из наноостровков.