Б. И. Иванов, M. Grajcar, И. Л. Новиков, А. Г. Вострецов, Е. Ильичев, “Микроволновый криогенный малошумящий гетероструктурный SiGe усилитель”, Письма в ЖТФ, 2016, том 42, выпуск 7,страницы 90

Эта публикация цитируется в 14 статьях

Микроволновый криогенный малошумящий гетероструктурный SiGe усилитель

Б. И. Иванов^a, M. Grajcar^bc, И. Л. Новиков^a, А. Г. Вострецов^a, Е. Ильичев^ad

^a Новосибирский государственный технический университет
^b Department of Experimental Physics, Comenius University, Bratislava
^c Institute of Physics, Slovak Academy of Sciences
^d Leibniz Institute of Photonic Technology, Germany

Аннотация: Для измерения слабых микроволновых сигналов в субкельвиновых температурах был разработан малошумящий криогенный усилитель. Основу усилителя составляют пять каскадов на основе SiGe биполярных гетероструктурных транзисторов. Усилитель имеет коэффициент усиления 35 dB в полосе частот от 100 MHz до 4 GHz при рабочей температуре 800 mK. В качестве примера применения усилителя приводятся характеристики сверхпроводникового квантового бита, измеренные на основе разработанного усилителя в режиме сверхмалой мощности. Показана амплитудно-частотная характеристика структуры сверхпроводниковый кубит–копланарный резонатор. Приведена характеристика основного состояния кубита в квазидисперсном режиме измерения.

Поступила в редакцию: 20.11.2015