Модель формирования осевых гетероструктур в III–V нитевидных нанокристаллах

Предложена кинетическая модель формирования осевых гетероструктур в нитевидных нанокристаллах полупроводниковых соединений III–V, выращиваемых по механизму “пар–жидкость–кристалл”. Сформулирована общая система нестационарных уравнений для эффективных потоков двух элементов одной группы (например, группы III), позволяющая рассчитывать профиль состава гетероструктуры в зависимости от координаты и условий эпитаксиального роста, в том числе от потока группы V. В линейном приближении найдены времена релаксации состава, определяющие резкость гетерограницы. Остановка потоков при переключении элементов на время, превосходящее данные времена релаксации, должна приводить к увеличению резкости гетерограницы. Проведены расчеты профиля состава в двойной гетероструктуре GaAs/InAs/GaAs в зависимости от радиуса нитевидного нанокристалла.