Нелинейные калибровочные зависимости в методе вторично-ионной масс-спектрометрии для количественного анализа гетероструктур GeSi с нанокластерами

Впервые в практике вторично-ионной масс-спектрометрии получена нелинейная калибровочная зависимость для отношения кластерных и элементарных вторичных ионов германия Ge$_{2}$/Ge, не содержащая вторичных ионов кремния, что позволяет проводить количественный анализ концентрации германия в гетероструктурах Ge$_{x}$Si$_{1-x}$ во всем диапазоне $x$: 0 $<x\le$ 1. Разработан метод количественного латерального анализа – построение латеральной карты $x$. Развит алгоритм выявления и анализа латеральной неоднородности $x$ в гетероструктурах Ge$_{x}$Si$_{1-x}$ с 3D-кластерами путем сопоставления результатов послойного анализа с использованием линейной и нелинейной калибровочных зависимостей, определена концентрация $x$ в самоформирующихся наноостровках.