Определение политипного состава пленок карбида кремния методом ультрафиолетовой эллипсометрии

Предложена универсальная эллипсометрическая модель, описывающая оптические свойства пленок карбида кремния SiC, выращенных на кремнии Si методом замещения атомов за счет химической реакции подложки кремния с газом монооксида углерода. Данная модель является трехслойной моделью, в которой концентрация кремния уменьшается ступенчатым образом в направлении от подложки к поверхности пленки. Эллипсометрические спектры образцов SiC/Si(111), SiC/Si(100), SiC/Si(110), выращенных в одинаковых условиях, измерялись эллипсометром VUV-VASE/J.A. Woollam с вращающимся анализатором в диапазоне 1.35–9.25 eV. Обработка полученных результатов в рамках предложенной модели впервые дала политипный состав пленок SiC. Показано, что SiC на Si(111) является в основном кубическим, SiC на Si(110) является преимущественно гексагональным с примесью кубического политипа, SiC на Si(100) имеет смешанный политипный состав.