Роль резонанса Фано в эффекте множественной экситонной генерации в квантовых точках

Рассмотрено влияние интерференции двух путей перевода электрона из валентной зоны в зону проводимости в квантовой точке: первый путь – обычный переход "валентная зона $\to$ зона проводимости"; второй путь – переход "валентная зона $\to$ зона проводимости через виртуальное двухэлектронное состояние на уровне Тамма в квантовой точке, с последующим оже-эффектом, выбрасывающим один из электронов на таммовском уровне в зону проводимости. При когерентном сложении этих двух путей ионизации может реализоваться резонанс Фано, ведущий к увеличению коэффициента поглощения фотона. Это приводит к возрастанию внутренней эффективности преобразования света и может быть основой для увеличения КПД солнечного элемента на основе эффекта множественной экситонной генерации.