Р. Г. Валеев, Д. И. Петухов, А. И. Чукавин, А. Н. Бельтюков, “Электролюминесцентные слои на основе ZnS : Cu, осажденного в матрицы пористого анодного Al$_{2}$O$_{3}$”, Письма в ЖТФ, 2016, том 42, выпуск 3,страницы 23

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Электролюминесцентные слои на основе ZnS : Cu, осажденного в матрицы пористого анодного Al$_{2}$O$_{3}$

Р. Г. Валеев^a, Д. И. Петухов^ab, А. И. Чукавин^a, А. Н. Бельтюков^a

^a Физико-технический институт Уральского отделения Российской Академии наук
^b Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова

Аннотация: Предложено использование в качестве светоизлучающего слоя электролюминесцентных источников света нового нанокомпозитного материала: наноструктуры легированного медью сульфида цинка в матрице пористого оксида алюминия. Осаждение материала проведено методом вакуумно-термического напыления. Исследованы микроструктура слоев, распределение примеси в слое электролюминофора, спектры электролюминесценции при различных концентрациях меди в ZnS : Cu.

Поступила в редакцию: 02.09.2015