Особенности явления неравновесного обеднения, сопровождаемого процессами захвата неосновных носителей поверхностными состояниями, в структурах металл–диэлектрик–полупроводник

В структурах металл–диэлектрик–полупроводник на основе арсенида галлия и кремния с тонкой пленкой (толщиной 40 nm) диоксида циркония, стабилизированного оксидом иттрия, обнаружены особенности явления неравновесного обеднения, которые проявляются в скачкообразных изменениях тока при изменении напряжения и могут привести к расширению областей применения этого явления в микроэлектронной технике.